霍爾接近開關(guān)與普通接近開關(guān)那個好有什么區(qū)別？

一、定義不同

當一塊有電流的金屬片或半導體片垂直放置在磁場中時，其兩端會產(chǎn)生電位差。這個磁性傳感器控制的開關(guān)是霍爾開關(guān)。

普通接近開關(guān)是一種位置開關(guān)，可以在不與運動部件直接機械接觸的情況下進行操作。當物體接近開關(guān)的感測面至工作距離時，不需要機械接觸或任何壓力使開關(guān)動作，從而驅(qū)動直流電流或向計算機（plc）設(shè)備提供控制指令。

二、原理不同

霍爾開關(guān)的原理是霍爾效應(yīng)，也就是說，通電的金屬片或半導體片通電產(chǎn)生電位差。

普通接近開關(guān)的原理是利用位移傳感器對接近物體的敏感特性來實現(xiàn)開關(guān)的控制。

三、特點不同

霍爾開關(guān)具有低電功耗、無觸點、響應(yīng)頻率高、長壽命等特征，內(nèi)部采用環(huán)氧樹酯封裝一體化，能在各種嚴酷的環(huán)境下可靠地工作。靈敏度比通常的接近開關(guān)高。

一般接近開關(guān)具有傳感性能、工作可靠、性能穩(wěn)定、頻率響應(yīng)快、抗擾度強等特點，具有防水、防震、耐腐蝕等。但在靈敏度和壽命方面并不如霍爾開關(guān)。

四、檢測對象不同

霍爾接近開關(guān)能檢測對象只有磁性體。而一般的接近開關(guān)檢測對象不限于導體，可以檢測到粉狀物和絕緣的液體等。

霍爾接近開關(guān)跟普通接近開關(guān)

1、渦流式接近開關(guān)

渦流式接近開關(guān)有時稱為電感應(yīng)式接近開關(guān)。它利用一個導電物體在接近開關(guān)時在物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流，這個開關(guān)可以產(chǎn)生電磁場。這種渦流對接近開關(guān)產(chǎn)生反應(yīng)，使開關(guān)的內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，從而識別是否有導電物體接近，然后控制開關(guān)的接通或斷開。渦流式接近開關(guān)檢測到的物體必須是一個導電體。

2、電容式接近開關(guān)

電容式接近開關(guān)的測量通常由電容器的一塊板組成，另一塊板是開關(guān)的外殼。在測量過程中，該外殼通常接地或連接到設(shè)備的外殼上。當一個物體移動到接近開關(guān)時，不管它是不是導體，由于它的接近，電容的介電常數(shù)總是變化的，因此電容發(fā)生變化，并且連接到測量頭的電路也會出現(xiàn)狀態(tài)?？煽刂崎_關(guān)打開或關(guān)閉。電容式接近開關(guān)檢測到的物體不限于導體，而是可以絕緣的液體或粉末。

3、霍爾接近開關(guān)

霍爾接近開關(guān)中的霍爾元件是一種磁敏傳感器ic。由霍爾元件制成的開關(guān)稱為霍爾開關(guān)。當磁性物體靠近霍爾開關(guān)時，開關(guān)檢測面上的霍爾元件由于霍爾效應(yīng)改變開關(guān)的內(nèi)部電路狀態(tài)，從而識別出附近是否存在磁性物體，進而控制開關(guān)的通斷?；魻柦咏_關(guān)的檢測對象只能是磁性的物體。

4、光電式接近開關(guān)

由光電效應(yīng)產(chǎn)生的開關(guān)稱為光電開關(guān)。發(fā)光器件和光電器件在同一探測頭的某一方向上安裝。當一個反射面（待探測物體）接近時，光電器件接收到反射光后輸出信號，以便“感知”接近的物體。

5、熱釋電式接近開關(guān)

釋電式接近開關(guān)是由能夠感知溫度變化的元器件制成的。這種開關(guān)將熱釋電器件安裝在開關(guān)的探測面上。當溫度與環(huán)境不同的物體接近時，熱釋電裝置的輸出會發(fā)生變化，因此可以檢測到物體接近的情況。

6、其它型式的接近開關(guān)

當觀察者或系統(tǒng)改變與波源的距離時，接近波的頻率會發(fā)生偏移。這種現(xiàn)象被稱為多普勒效應(yīng)。雷達和聲納就是利用這種效應(yīng)原理制造的。多普勒效應(yīng)可以用來制作超聲波接近開關(guān)、微波接近開關(guān)等，當物體靠近時，接近開關(guān)接收到的反射信號會產(chǎn)生多普勒頻移，從而判斷物體是否正在接近。